FIR18N20G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR18N20G
Código: FIR18N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 163 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR18N20G
FIR18N20G Datasheet (PDF)
fir18n20g.pdf
FIR18N20GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR18N20G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =18A RDS(ON)
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History: 2SK2918-01