FIR210N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FIR210N06G
   Código: FIR210N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 330 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 210 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 250 nC
   Tiempo de subida (tr): 38 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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FIR210N06G Datasheet (PDF)

..1. Size:1347K first silicon
fir210n06g.pdf

FIR210N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR210N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V ,ID =210A RDS(ON)

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