FIR210N06G Todos los transistores

 

FIR210N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR210N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FIR210N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  first silicon
 fir210n06g.pdf pdf_icon

FIR210N06G

FIR210N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR210N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V ,ID =210A RDS(ON)

Otros transistores... FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , IRFP260 , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 .

History: AP18P10GM-HF | IRFR230A | HGW130N12S | IRF9362PBF | BUK7Y25-40B | SSM9585GP | NTHL050N65S3HF

 

 
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