Справочник MOSFET. FIR210N06G

 

FIR210N06G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR210N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FIR210N06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR210N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  first silicon
 fir210n06g.pdf pdf_icon

FIR210N06G

FIR210N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR210N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V ,ID =210A RDS(ON)

Другие MOSFET... FC8V22300L , FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , IRFP260 , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 .

History: TTB95N68A | CEB3060 | IXTA26P10T | TTP85N08AA | H7N0608LD

 

 
Back to Top

 


 
.