FIR210N06G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FIR210N06G
Маркировка: FIR210N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 250 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 1120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FIR210N06G
FIR210N06G Datasheet (PDF)
..1. Size:1347K first silicon
fir210n06g.pdf
fir210n06g.pdf
FIR210N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR210N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V ,ID =210A RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
