FIR75N075G Todos los transistores

 

FIR75N075G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR75N075G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FIR75N075G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2929K  first silicon
 fir75n075g.pdf pdf_icon

FIR75N075G

FIR75N075GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N075G is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the cell density and reduces the on-resistance; its typical Rdson can reduce to 7.0mohm. Features Advanced trench process technology Specia

 7.1. Size:1794K  first silicon
 fir75n06g.pdf pdf_icon

FIR75N075G

FIR75N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

Otros transistores... FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , K4145 , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 .

History: FIR75N06G | IXFR150N15

 

 
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