Справочник MOSFET. FIR75N075G

 

FIR75N075G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR75N075G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR75N075G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2929K  first silicon
 fir75n075g.pdf pdf_icon

FIR75N075G

FIR75N075GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N075G is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the cell density and reduces the on-resistance; its typical Rdson can reduce to 7.0mohm. Features Advanced trench process technology Specia

 7.1. Size:1794K  first silicon
 fir75n06g.pdf pdf_icon

FIR75N075G

FIR75N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | IRFIBC20G | SRM4N65TF | BSS214NW | TK3A60DA | AOD4132

 

 
Back to Top

 


 
.