FJ350301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJ350301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-85
Búsqueda de reemplazo de FJ350301 MOSFET
FJ350301 Datasheet (PDF)
fj350301.pdf

FJ3503010LFJ3503010LSilicon P-channel MOSFETUnit: mm For switchingFJ330301 in SMini3 type package Features Low drive voltage: 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: U1 Packaging 1. GateFJ3503010L Embossed type (Thermo-compression sealing): 2. Source3 000 pcs / reel (standard) 3. DrainPana
Otros transistores... FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , 5N60 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L , FK330301 , FK3303010L .
History: HGP068N15S | ELM17408GA
History: HGP068N15S | ELM17408GA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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