FJ350301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FJ350301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: SC-85
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FJ350301 Datasheet (PDF)
fj350301.pdf

FJ3503010LFJ3503010LSilicon P-channel MOSFETUnit: mm For switchingFJ330301 in SMini3 type package Features Low drive voltage: 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: U1 Packaging 1. GateFJ3503010L Embossed type (Thermo-compression sealing): 2. Source3 000 pcs / reel (standard) 3. DrainPana
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | AP18P10GK-HF
History: CET04N10 | AP18P10GK-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor