Справочник MOSFET. FJ350301

 

FJ350301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FJ350301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: SC-85
 

 Аналог (замена) для FJ350301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FJ350301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  panasonic
 fj350301.pdf pdf_icon

FJ350301

FJ3503010LFJ3503010LSilicon P-channel MOSFETUnit: mm For switchingFJ330301 in SMini3 type package Features Low drive voltage: 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: U1 Packaging 1. GateFJ3503010L Embossed type (Thermo-compression sealing): 2. Source3 000 pcs / reel (standard) 3. DrainPana

Другие MOSFET... FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , 5N60 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L , FK330301 , FK3303010L .

History: RFP4N100 | NTD65N03R | F11F60C3M | SI1058X | IXFH24N80P | IXFH15N100Q3 | IXFH69N30P

 

 
Back to Top

 


 
.