FJ6K01010L Todos los transistores

 

FJ6K01010L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJ6K01010L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SC-113DA

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FJ6K01010L datasheet

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FJ6K01010L

Doc No. TT4-EA-12484 Revision. 2 Product Standards MOS FET FJ6K01010L FJ6K01010L Silicon P-channel MOS FET Unit mm 2.0 For switching 0.2 0.13 6 5 4 Features Low drain-source On-state resistance RDS (on) typ. = 26 m ( VGS = -4.5 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 0.7

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FJ6K01010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FJ6K0101 Silicon P-channel MOS FET For load switch circuits Overview Package FJ6K0101 is the low on-resistance P-channel MOS FET designed for load Code switch circuits. WSMini6-F1-B Pin Name Features 1 Drain 4 Source Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 36 mW (VGS = 1.8 V) 2 D

Otros transistores... FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , SKD502T , FK330301 , FK3303010L , FK330307 , FK330308 , FK330309 , FK330601 , FK3306010L , FK350301 .

 

 

 

 

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