FJ6K01010L - описание и поиск аналогов

 

FJ6K01010L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJ6K01010L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SC-113DA

Аналог (замена) для FJ6K01010L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FJ6K01010L даташит

 ..1. Size:391K  panasonic
 fj6k01010l.pdf pdf_icon

FJ6K01010L

Doc No. TT4-EA-12484 Revision. 2 Product Standards MOS FET FJ6K01010L FJ6K01010L Silicon P-channel MOS FET Unit mm 2.0 For switching 0.2 0.13 6 5 4 Features Low drain-source On-state resistance RDS (on) typ. = 26 m ( VGS = -4.5 V ) Low drive voltage 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 0.7

 6.1. Size:461K  panasonic
 fj6k0101.pdf pdf_icon

FJ6K01010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FJ6K0101 Silicon P-channel MOS FET For load switch circuits Overview Package FJ6K0101 is the low on-resistance P-channel MOS FET designed for load Code switch circuits. WSMini6-F1-B Pin Name Features 1 Drain 4 Source Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 36 mW (VGS = 1.8 V) 2 D

Другие MOSFET... FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , SKD502T , FK330301 , FK3303010L , FK330307 , FK330308 , FK330309 , FK330601 , FK3306010L , FK350301 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.