Справочник MOSFET. FJ6K01010L

 

FJ6K01010L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FJ6K01010L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SC-113DA

 Аналог (замена) для FJ6K01010L

 

 

FJ6K01010L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  panasonic
 fj6k01010l.pdf

FJ6K01010L FJ6K01010L

Doc No. TT4-EA-12484Revision. 2Product StandardsMOS FETFJ6K01010LFJ6K01010LSilicon P-channel MOS FETUnit : mm 2.0For switching0.2 0.136 5 4 Features Low drain-source On-state resistance : RDS (on) typ. = 26 m ( VGS = -4.5 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 30.7

 6.1. Size:461K  panasonic
 fj6k0101.pdf

FJ6K01010L FJ6K01010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FJ6K0101Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuits Overview PackageFJ6K0101 is the low on-resistance P-channel MOS FET designed for load Codeswitch circuits. WSMini6-F1-B Pin Name Features 1: Drain 4: Source Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 36 mW (VGS = 1.8 V) 2: D

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top