FKH0660 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FKH0660
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de FKH0660 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FKH0660 datasheet
fkh0660.pdf
60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr
Otros transistores... FK8V0303 , FK8V0304 , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , FKG1020 , STF13NM60N , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , FKI07076 , FKI07117 , FKI07174 .
History: FKI06075
History: FKI06075
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435
