FKH0660 - описание и поиск аналогов

 

FKH0660. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FKH0660

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FKH0660

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKH0660 даташит

 ..1. Size:680K  sanken-ele
 fkh0660.pdf pdf_icon

FKH0660

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr

Другие MOSFET... FK8V0303 , FK8V0304 , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , FKG1020 , STF13NM60N , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , FKI07076 , FKI07117 , FKI07174 .

History: IPB100N04S2-04 | SSN65R190S2 | KP749A | MTG9N50E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.