Справочник MOSFET. FKH0660

 

FKH0660 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FKH0660
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FKH0660

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKH0660 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  sanken-ele
fkh0660.pdfpdf_icon

FKH0660

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr

Другие MOSFET... FK8V0303 , FK8V0304 , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , FKG1020 , IRF2807 , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , FKI07076 , FKI07117 , FKI07174 .

 

 
Back to Top

 


 
.