FKH0660 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FKH0660
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FKH0660
FKH0660 Datasheet (PDF)
fkh0660.pdf

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr
Другие MOSFET... FK8V0303 , FK8V0304 , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , FKG1020 , IRFZ24N , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , FKI07076 , FKI07117 , FKI07174 .
History: DMN3007LSS | SVSP11N60DD2TR | HSBA4204 | GT110N06D5 | HM30P55 | TPC8210 | BLF7G22L-100P
History: DMN3007LSS | SVSP11N60DD2TR | HSBA4204 | GT110N06D5 | HM30P55 | TPC8210 | BLF7G22L-100P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435