FL6L5203 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FL6L5203
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Paquete / Cubierta: WSSMINI6-F1
- Selección de transistores por parámetros
FL6L5203 Datasheet (PDF)
fl6l5203.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FL6L5203Silicon P-channel MOS FET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview PackageFL6L5203 is P-channel type MOS FET with Schottky Brrier Diode in small Codesize surface mouting pakcage. WSSMini6-F1 Package dimension clicks here.
fl6l52010l.pdf

Doc No. TT4-EA-12746Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52010LFL6L52010LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS
fl6l5207.pdf

Doc No. TT4-EA-13067Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52070LFL6L52070LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 300 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoH
fl6l5206.pdf

Doc No. TT4-EA-13066Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52060LFL6L52060LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94
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History: ES6U2 | KP737A | WMK10N100C2 | SSF7504A7 | IRF8852 | CEU3423 | GSM9498
History: ES6U2 | KP737A | WMK10N100C2 | SSF7504A7 | IRF8852 | CEU3423 | GSM9498



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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