Справочник MOSFET. FL6L5203

 

FL6L5203 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FL6L5203
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: WSSMINI6-F1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FL6L5203 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  panasonic
fl6l5203.pdfpdf_icon

FL6L5203

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FL6L5203Silicon P-channel MOS FET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)For DC-DC converter circuitsFor switching circuits Overview PackageFL6L5203 is P-channel type MOS FET with Schottky Brrier Diode in small Codesize surface mouting pakcage. WSSMini6-F1 Package dimension clicks here.

 7.1. Size:288K  1
fl6l52010l.pdfpdf_icon

FL6L5203

Doc No. TT4-EA-12746Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52010LFL6L52010LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS

 7.2. Size:370K  panasonic
fl6l5207.pdfpdf_icon

FL6L5203

Doc No. TT4-EA-13067Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52070LFL6L52070LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 300 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoH

 7.3. Size:339K  panasonic
fl6l5206.pdfpdf_icon

FL6L5203

Doc No. TT4-EA-13066Revision. 2Product StandardsMOS FETFL6L52060LFL6L52060LSilicon P-channel MOSFET(FET)Unit : mm Silicon epitaxial planar type(SBD)1.6For switching0.2 0.13For DC-DC Converter6 5 4 Features Low drain-source ON resistance : RDS (on) typ. = 80 m ( VGS = -4.0 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.