SDF100NA40JD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF100NA40JD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 833 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: NA

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SDF100NA40JD datasheet

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SDF100NA40JD

SDP10N60 SDF10N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

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