SDF100NA40JD Todos los transistores

 

SDF100NA40JD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF100NA40JD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 833 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: NA
     - Selección de transistores por parámetros

 

SDF100NA40JD Datasheet (PDF)

 4.1. Size:167K  solitron
 sdf100na40.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

 9.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

 9.2. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf pdf_icon

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History: NCE65TF099F | HUFA76423S3ST | P06P03LDG

 

 
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