Справочник MOSFET. SDF100NA40JD

 

SDF100NA40JD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF100NA40JD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 833 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: NA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF100NA40JD Datasheet (PDF)

 4.1. Size:167K  solitron
 sdf100na40.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

 9.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

 9.2. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

 9.3. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf pdf_icon

SDF100NA40JD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SDF044JAB-U , SDF054JAA-D , SDF054JAA-S , SDF054JAA-U , SDF054JAB-D , SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , SDF100NA40HI , IRFZ44 , SDF10N100JEA , SDF10N100JEB , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.