ST16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ST16N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 79 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 44 nC
   Tiempo de subida (tr): 27 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

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ST16N10 Datasheet (PDF)

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st16n10.pdf

ST16N10 N Channel Enhancement Mode MOSFET 16.0A DESCRIPTION ST16N10 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST16N10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been opt

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Liste

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