ST16N10 - описание и поиск аналогов

 

ST16N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST16N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для ST16N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ST16N10 даташит

 ..1. Size:1056K  stansontech
 st16n10.pdf pdf_icon

ST16N10

ST16N10 N Channel Enhancement Mode MOSFET 16.0A DESCRIPTION ST16N10 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST16N10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been opt

Другие MOSFET... FM600TU-2A , FM600TU-3A , FM6K6201 , FM6L5202 , FM6L52020L , SWP3205 , SWP10N65 , SWF10N65 , IRFZ44 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P .

History: SUP90N08-4M8P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.