Справочник MOSFET. ST16N10

 

ST16N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ST16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ST16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  stansontech
 st16n10.pdf pdf_icon

ST16N10

ST16N10 N Channel Enhancement Mode MOSFET 16.0A DESCRIPTION ST16N10 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. The ST16N10 has been designed specially to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been opt

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM2325P | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.