SPI80N06S2-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPI80N06S2-08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08 Datasheet (PDF)

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SPI80N06S2-08SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 8 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S42832N0608SPB80N06S2-08 P- TO263 -

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SPB80N06S-08SPI80N06S-08, SPP80N06S-08SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Normal Level -Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green PackagePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

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spb80n06s-08 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spp80n06s spb80n06s spi80n06s-08green.pdf