SPI80N06S2-08 - описание и поиск аналогов

 

SPI80N06S2-08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI80N06S2-08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI80N06S2-08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI80N06S2-08 даташит

 ..1. Size:419K  infineon
 spp80n06s2-08 spb80n06s2-08 spi80n06s2-08.pdf pdf_icon

SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08 SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 8 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO262 -3-1 P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2-08 P- TO220 -3-1 Q67060-S4283 2N0608 SPB80N06S2-08 P- TO263 -

 5.1. Size:208K  1
 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spb80n06s-08.pdf pdf_icon

SPI80N06S2-08

SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

 5.2. Size:205K  infineon
 spb80n06s-08 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spp80n06s spb80n06s spi80n06s-08green.pdf pdf_icon

SPI80N06S2-08

SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

 5.3. Size:221K  infineon
 spi80n06s-80 spp80n06s-08.pdf pdf_icon

SPI80N06S2-08

SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FM6L5202 , FM6L52020L , SWP3205 , SWP10N65 , SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , IRLZ44N , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.