PTW40N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTW40N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PTW40N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PTW40N50 datasheet

 ..1. Size:832K  pipsemi
 ptw40n50.pdf pdf_icon

PTW40N50

PTW40N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 85m 46A RDS(ON),typ.=85 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW40N50 TO-

Otros transistores... SWP10N65, SWF10N65, ST16N10, SPP80N06S2-08, SPB80N06S2-08, SPI80N06S2-08, SLP10N70C, SLF10N70C, IRFZ44, PJM90H09NTF, HY1606P, HY1606B, HS50N06PA, FS14UM-10, DMG4712SSS, BRCS4435SC, B0210D