PTW40N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTW40N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 540 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 46 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 138 nC

Tiempo de elevación (tr): 39 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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PTW40N50 Datasheet (PDF)

1.1. ptw40n50.pdf Size:832K _pipsemi

PTW40N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID  Advanced Planar Process 500V 85mΩ 46A  RDS(ON),typ.=85 mΩ@VGS=10V  Low Gate Charge Minimize Switching Loss  Rugged Poly silicon Gate Structure Applications  BLDC Motor Driver  Electric Welder  High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW40N50 TO-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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