Справочник MOSFET. PTW40N50

 

PTW40N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTW40N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для PTW40N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW40N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  pipsemi
 ptw40n50.pdf pdf_icon

PTW40N50

PTW40N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 85m 46A RDS(ON),typ.=85 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW40N50 TO-

Другие MOSFET... SWP10N65 , SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , 10N60 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D .

History: BUK456-200A | BUZ900DP | HFH9N90A | AOTF27S60 | IPP147N03L | KF13N60N | FTK830

 

 
Back to Top

 


 
.