PTW40N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTW40N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTW40N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTW40N50 даташит

 ..1. Size:832K  pipsemi
 ptw40n50.pdf pdf_icon

PTW40N50

PTW40N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 500V 85m 46A RDS(ON),typ.=85 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW40N50 TO-

Другие IGBT... SWP10N65, SWF10N65, ST16N10, SPP80N06S2-08, SPB80N06S2-08, SPI80N06S2-08, SLP10N70C, SLF10N70C, IRFZ44, PJM90H09NTF, HY1606P, HY1606B, HS50N06PA, FS14UM-10, DMG4712SSS, BRCS4435SC, B0210D