Справочник MOSFET. PTW40N50

 

PTW40N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PTW40N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 138 nC

Время нарастания (tr): 39 ns

Выходная емкость (Cd): 700 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для PTW40N50

 

 

PTW40N50 Datasheet (PDF)

1.1. ptw40n50.pdf Size:832K _pipsemi

PTW40N50
PTW40N50

PTW40N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID  Advanced Planar Process 500V 85mΩ 46A  RDS(ON),typ.=85 mΩ@VGS=10V  Low Gate Charge Minimize Switching Loss  Rugged Poly silicon Gate Structure Applications  BLDC Motor Driver  Electric Welder  High Efficiency SMPS Ordering Information Part Number Package Brand PTW40N50 TO-

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top