PJM90H09NTF Todos los transistores

 

PJM90H09NTF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJM90H09NTF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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PJM90H09NTF datasheet

 ..1. Size:1083K  pjsemi
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PJM90H09NTF

PJM90H09NTF N-Channel MOSFET TO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10V DS(on) GS 90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified 1 2 3 PJM90H09NTF Explanation Marking PJ Brand of abbreviation 90H09N Product Type M MOSFET * * Date of Manufacture 90H09 Product type N Channel typ

Otros transistores... SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , AO3400 , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS .

History: AGM20P30AP | AO6415

 

 

 

 

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