PJM90H09NTF Todos los transistores

 

PJM90H09NTF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJM90H09NTF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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PJM90H09NTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  pjsemi
 pjm90h09ntf.pdf pdf_icon

PJM90H09NTF

PJM90H09NTF N-Channel MOSFETTO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10VDS(on) GS90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified1 2 3PJM90H09NTF Explanation Marking PJ: Brand of abbreviation 90H09N: Product Type M: MOSFET * * Date of Manufacture90H09: Product type N: Channel typ

Otros transistores... SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , IRF3710 , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS .

History: NP90N04VUG | 13N60AF | GSM4850WS | FQAF16N25C | SFB120N80A | NCE3009S | IRF7342QTR

 

 
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