PJM90H09NTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJM90H09NTF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для PJM90H09NTF
PJM90H09NTF Datasheet (PDF)
pjm90h09ntf.pdf
PJM90H09NTF N-Channel MOSFETTO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10VDS(on) GS90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified1 2 3PJM90H09NTF Explanation Marking PJ: Brand of abbreviation 90H09N: Product Type M: MOSFET * * Date of Manufacture90H09: Product type N: Channel typ
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918