PJM90H09NTF - описание и поиск аналогов

 

PJM90H09NTF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJM90H09NTF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для PJM90H09NTF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM90H09NTF даташит

 ..1. Size:1083K  pjsemi
 pjm90h09ntf.pdf pdf_icon

PJM90H09NTF

PJM90H09NTF N-Channel MOSFET TO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10V DS(on) GS 90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified 1 2 3 PJM90H09NTF Explanation Marking PJ Brand of abbreviation 90H09N Product Type M MOSFET * * Date of Manufacture 90H09 Product type N Channel typ

Другие MOSFET... SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , AO3400 , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS .

History: TSF20N65MR | LNE06R062

 

 

 

 

↑ Back to Top
.