Справочник MOSFET. PJM90H09NTF

 

PJM90H09NTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJM90H09NTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PJM90H09NTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJM90H09NTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  pjsemi
 pjm90h09ntf.pdf pdf_icon

PJM90H09NTF

PJM90H09NTF N-Channel MOSFETTO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10VDS(on) GS90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified1 2 3PJM90H09NTF Explanation Marking PJ: Brand of abbreviation 90H09N: Product Type M: MOSFET * * Date of Manufacture90H09: Product type N: Channel typ

Другие MOSFET... SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , IRF3710 , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.