PJM90H09NTF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PJM90H09NTF
Маркировка: 90H09N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 31 ns
Выходная емкость (Cd): 143 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для PJM90H09NTF
PJM90H09NTF Datasheet (PDF)
..1. Size:1083K pjsemi
pjm90h09ntf.pdf
pjm90h09ntf.pdf
PJM90H09NTF N-Channel MOSFETTO-220F Feature Fast switching capability R =1.4 @ V =10VDS(on) GS90H09N Ultra low gate charge Low reverse transfer capacitance * * Avalanche energy specified1 2 3PJM90H09NTF Explanation Marking PJ: Brand of abbreviation 90H09N: Product Type M: MOSFET * * Date of Manufacture90H09: Product type N: Channel typ
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
