DMG4712SSS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG4712SSS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.55 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: SO8
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DMG4712SSS datasheet
dmg4712sss.pdf
DMG4712SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020
dmg4710sss.pdf
DMG4710SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver V(BR)DSS RDS(on) TA = 25 C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction 12.5m @
Otros transistores... SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , IRFB4115 , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT .
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Liste
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