Справочник MOSFET. DMG4712SSS

 

DMG4712SSS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG4712SSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMG4712SSS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG4712SSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  diodes
 dmg4712sss.pdf pdf_icon

DMG4712SSS

DMG4712SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case: SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 8.1. Size:169K  diodes
 dmg4710sss.pdf pdf_icon

DMG4712SSS

DMG4710SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: V(BR)DSS RDS(on) TA = 25C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction12.5m @

Другие MOSFET... SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , IRFP250N , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT .

 

 
Back to Top

 


 
.