Справочник MOSFET. DMG4712SSS

 

DMG4712SSS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMG4712SSS
   Маркировка: G4712SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.55 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19.3 nC
   Время нарастания (tr): 24.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 164 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для DMG4712SSS

 

 

DMG4712SSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  diodes
 dmg4712sss.pdf

DMG4712SSS DMG4712SSS

DMG4712SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data High Density UMOS with Schottky Barrier Diode Case: SO-8 Low Leakage Current at High Temperature Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 High Conversion Efficiency Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 8.1. Size:169K  diodes
 dmg4710sss.pdf

DMG4712SSS DMG4712SSS

DMG4710SSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID max integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: V(BR)DSS RDS(on) TA = 25C (Note 5) Low RDS(ON) - minimizes conduction losses Low VSD - reducing the losses due to body diode conduction12.5m @

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top