B0210D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: B0210D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Encapsulados: TO252
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B0210D datasheet
b0210d.pdf
B0210D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET General Description Features B0210D is the N-Channel logic enhancement mode R =220m @V =10V DS(ON) GS power field effect transistors to provide excellent R =270m @V =4.5V DS(ON) GS R (on), low gate charge and low gate resistance. DS High Density Cell Design for Low R DS(ON) It s up to 100V operation voltage is suitable for
Otros transistores... PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , P55NF06 , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 .
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