Справочник MOSFET. B0210D

 

B0210D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: B0210D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

B0210D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  bitek
 b0210d.pdf pdf_icon

B0210D

B0210D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET General Description Features B0210D is the N-Channel logic enhancement mode R =220m@V =10V DS(ON) GSpower field effect transistors to provide excellent R =270m@V =4.5V DS(ON) GSR (on), low gate charge and low gate resistance. DS High Density Cell Design for Low R DS(ON)Its up to 100V operation voltage is suitable for

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BLM8205 | SIHG47N60S | 75N10B | 9N95 | TK16J60W5 | BSZ011NE2LS5I | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.