B0210D - описание и поиск аналогов

 

B0210D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: B0210D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для B0210D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B0210D даташит

 ..1. Size:61K  bitek
 b0210d.pdf pdf_icon

B0210D

B0210D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET General Description Features B0210D is the N-Channel logic enhancement mode R =220m @V =10V DS(ON) GS power field effect transistors to provide excellent R =270m @V =4.5V DS(ON) GS R (on), low gate charge and low gate resistance. DS High Density Cell Design for Low R DS(ON) It s up to 100V operation voltage is suitable for

Другие MOSFET... PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , P55NF06 , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.