Справочник MOSFET. B0210D

 

B0210D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: B0210D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для B0210D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

B0210D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  bitek
 b0210d.pdf pdf_icon

B0210D

B0210D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET General Description Features B0210D is the N-Channel logic enhancement mode R =220m@V =10V DS(ON) GSpower field effect transistors to provide excellent R =270m@V =4.5V DS(ON) GSR (on), low gate charge and low gate resistance. DS High Density Cell Design for Low R DS(ON)Its up to 100V operation voltage is suitable for

Другие MOSFET... PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , IRFB4115 , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 .

History: HY3810M | FTA04N60B | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | AUIRF1404L | CS3N80ARH | NDF08N60ZG

 

 
Back to Top

 


 
.