B0210D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: B0210D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для B0210D
B0210D Datasheet (PDF)
b0210d.pdf

B0210D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET General Description Features B0210D is the N-Channel logic enhancement mode R =220m@V =10V DS(ON) GSpower field effect transistors to provide excellent R =270m@V =4.5V DS(ON) GSR (on), low gate charge and low gate resistance. DS High Density Cell Design for Low R DS(ON)Its up to 100V operation voltage is suitable for
Другие MOSFET... PTW40N50 , PJM90H09NTF , HY1606P , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , 2SK3878 , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 .
History: DN2625 | CHM1710PAGP | NDP605A | DH8004 | DH60N06 | BUK9K45-100E | MSU2N60U
History: DN2625 | CHM1710PAGP | NDP605A | DH8004 | DH60N06 | BUK9K45-100E | MSU2N60U



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740