IRF60R217 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF60R217 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF60R217

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm

Encapsulados: TO252

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRF60R217 datasheet

..1. Size:470K infineon
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IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0m Battery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications S ID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

..2. Size:242K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60R217, IIRF60R217 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.9m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Synchronous rectifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

9.1. Size:524K international rectifier
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