IRF60R217 - описание и поиск аналогов

 

IRF60R217. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF60R217

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRF60R217

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF60R217 даташит

 ..1. Size:470K  infineon
 irf60r217.pdf pdf_icon

IRF60R217

IR MOSFET StrongIRFET IRF60R217 Application D VDSS 60V Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 8.0m Battery powered circuits G Half-bridge and full-bridge topologies max 9.9m Synchronous rectifier applications S ID 58A Resonant mode power supplies OR-ing and redunda

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 irf60r217.pdf pdf_icon

IRF60R217

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF60R217, IIRF60R217 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.9m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Synchronous rectifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 9.1. Size:524K  international rectifier
 irf60dm206.pdf pdf_icon

IRF60R217

 9.2. Size:227K  infineon
 irf60b217.pdf pdf_icon

IRF60R217

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , STP75NF75 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F .

History: HM50N06A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.