PFP12N65 Todos los transistores

 

PFP12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PFP12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PFP12N65 Datasheet (PDF)

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 pfp12n65 pff12n65.pdf pdf_icon

PFP12N65

PFP12N65/PFF12N65 FEATURES 650V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 650 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) typ = 0.46 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.) E

Otros transistores... 2SK4119LS , 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , 2N7002 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , N0100P .

History: SVF830T | BL15N50-F | IRF60R217 | SI8475EDB | IPD30N06S2-23 | IPD30N08S2-22 | 2SK2527-01MR

 

 
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