PFP12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PFP12N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 240 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 47.5 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.57 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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PFP12N65 Datasheet (PDF)
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PFP12N65/PFF12N65 FEATURES 650V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 650 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) typ = 0.46 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.) E
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