Справочник MOSFET. PFP12N65

 

PFP12N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PFP12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для PFP12N65

 

 

PFP12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  china
 pfp12n65 pff12n65.pdf

PFP12N65 PFP12N65

PFP12N65/PFF12N65 FEATURES 650V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 650 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) typ = 0.46 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.) E

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top