SVF830MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF830MJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 37.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF830MJ
SVF830MJ Datasheet (PDF)
svf830t-d-mj-fj-f.pdf
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SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo
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