SVF830MJ Todos los transistores

 

SVF830MJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF830MJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SVF830MJ Datasheet (PDF)

 8.1. Size:597K  silan
 svf830t-d-mj-fj-f.pdf pdf_icon

SVF830MJ

SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

Otros transistores... CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SPP20N60C3 , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P .

History: IRFH8337PBF | IRF6894MPBF | IRF6898MPBF

 

 
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