SVF830MJ MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF830MJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF830MJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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SVF830MJ datasheet

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SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

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