Справочник MOSFET. SVF830MJ

 

SVF830MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF830MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVF830MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF830MJ Datasheet (PDF)

 8.1. Size:597K  silan
 svf830t-d-mj-fj-f.pdf pdf_icon

SVF830MJ

SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

Другие MOSFET... CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SPP20N60C3 , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P .

History: ME110N10F | 2SK3225 | IRF720SPBF | SJMN60R15F

 

 
Back to Top

 


 
.