SVF830MJ - описание и поиск аналогов

 

SVF830MJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF830MJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SVF830MJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF830MJ даташит

 8.1. Size:597K  silan
 svf830t-d-mj-fj-f.pdf pdf_icon

SVF830MJ

SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

Другие MOSFET... CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , K3569 , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.