N0400P Todos los transistores

 

N0400P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: N0400P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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N0400P Datasheet (PDF)

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N0400P

Preliminary Data Sheet R07DS0500EJ0200N0400P Rev.2.00Aug 19, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features 2.5 V drive available Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 m MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A) RDS(on)2 = 73 m MAX. (VGS

Otros transistores... SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , 4435 , N0412N , N0413N , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R .

History: G30N20F | SM1F00NSF | STB130NS04ZB-1

 

 
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