N0400P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N0400P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: TO-252
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N0400P datasheet
n0400p.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0500EJ0200 N0400P Rev.2.00 Aug 19, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features 2.5 V drive available Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 m MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A) RDS(on)2 = 73 m MAX. (VGS
Otros transistores... SVF830FJ, SVF830F, N0100P, N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, 5N65, N0412N, N0413N, NT4N03, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R
History: SVF5N65D | IRL540NS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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