N0400P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: N0400P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-252
N0400P Datasheet (PDF)
..1. Size:225K renesas
n0400p.pdf
n0400p.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0500EJ0200N0400P Rev.2.00Aug 19, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features 2.5 V drive available Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 m MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A) RDS(on)2 = 73 m MAX. (VGS
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WMO30P03TS
