Справочник MOSFET. N0400P

 

N0400P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N0400P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

N0400P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  renesas
 n0400p.pdf pdf_icon

N0400P

Preliminary Data Sheet R07DS0500EJ0200N0400P Rev.2.00Aug 19, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2.5 V drive switching applications. Features 2.5 V drive available Super low on-state resistance RDS(on)1 = 40 m MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -7.5 A) RDS(on)2 = 73 m MAX. (VGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FRM450H | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.