N0413N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N0413N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de N0413N MOSFET
N0413N Datasheet (PDF)
n0413n.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100N0413N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H
Otros transistores... N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , IRFB3607 , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , NTB13N10 , NTB18N06 .
History: NVTFS5C466NL | HMS11N65K | N0400P | PNMDP600V2 | STU75N3LLH6
History: NVTFS5C466NL | HMS11N65K | N0400P | PNMDP600V2 | STU75N3LLH6
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945

