N0413N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N0413N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Encapsulados: TO-263
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N0413N datasheet
n0413n.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100 N0413N Rev.1.00 Nov 07, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H
Otros transistores... N0100P, N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, N0400P, N0412N, IRFB3607, NT4N03, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06
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Liste
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