Справочник MOSFET. N0413N

 

N0413N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: N0413N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 119 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 580 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для N0413N

 

 

N0413N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  renesas
 n0413n.pdf

N0413N N0413N

Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100N0413N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top