N0413N - описание и поиск аналогов

 

N0413N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: N0413N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для N0413N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0413N даташит

 ..1. Size:210K  renesas
 n0413n.pdf pdf_icon

N0413N

Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100 N0413N Rev.1.00 Nov 07, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H

Другие IGBT... N0100P, N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, N0400P, N0412N, IRFB3607, NT4N03, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.