N0413N - аналоги и даташиты транзистора

 

N0413N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: N0413N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для N0413N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0413N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  renesas
 n0413n.pdf pdf_icon

N0413N

Preliminary Data Sheet R07DS0555EJ0100N0413N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0413N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) Low input capacitance Ciss = 5550 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) H

Другие MOSFET... N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , AON7506 , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , NTB13N10 , NTB18N06 .

History: FDD10N20LZTM | PSMN2R0-60PSR

 

 
Back to Top

 


 
.