NT4N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NT4N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOIC-8
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NT4N03 datasheet
nt4n03.pdf
NTMD4N03R2, NVMD4N03R2 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 Dual http //onsemi.com Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications VDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On-Resistance Provides 30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 A Higher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) N
Otros transistores... N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, N0400P, N0412N, N0413N, AON6380, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G
History: AGM15P30E
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Liste
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