NT4N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NT4N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NT4N03
NT4N03 Datasheet (PDF)
nt4n03.pdf
NTMD4N03R2,NVMD4N03R2Power MOSFET4 Amps, 30 VoltsN-Channel SO-8 Dualhttp://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On-Resistance Provides30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 AHigher Efficiency and Extends Battery Life- RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ)N
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TMPF10N65 | 2SK2765-01
History: TMPF10N65 | 2SK2765-01
Liste
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