NT4N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NT4N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для NT4N03
NT4N03 Datasheet (PDF)
nt4n03.pdf

NTMD4N03R2,NVMD4N03R2Power MOSFET4 Amps, 30 VoltsN-Channel SO-8 Dualhttp://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On-Resistance Provides30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 AHigher Efficiency and Extends Battery Life- RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ)N
Другие MOSFET... N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , N0413N , AON7506 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , NTB13N10 , NTB18N06 , NTB18N06G .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n