NT4N03 - описание и поиск аналогов

 

NT4N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NT4N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для NT4N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NT4N03 даташит

 ..1. Size:145K  onsemi
 nt4n03.pdf pdf_icon

NT4N03

NTMD4N03R2, NVMD4N03R2 Power MOSFET 4 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 Dual http //onsemi.com Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications VDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On-Resistance Provides 30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 A Higher Efficiency and Extends Battery Life - RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ) N

Другие IGBT... N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, N0400P, N0412N, N0413N, AON6380, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.