Справочник MOSFET. NT4N03

 

NT4N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NT4N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для NT4N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NT4N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  onsemi
 nt4n03.pdf pdf_icon

NT4N03

NTMD4N03R2,NVMD4N03R2Power MOSFET4 Amps, 30 VoltsN-Channel SO-8 Dualhttp://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On-Resistance Provides30 V 48 mW @ VGS = 10 V 4.0 AHigher Efficiency and Extends Battery Life- RDS(on) = 0.048 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.065 W, VGS = 4.5 V (Typ)N

Другие MOSFET... N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , N0413N , IRLZ44N , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , NTB13N10 , NTB18N06 , NTB18N06G .

History: BFD63 | MSQ6N30

 

 
Back to Top

 


 
.