NTA4151PT1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTA4151PT1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTA4151PT1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.301 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: SC-75

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NTA4151PT1 datasheet

..1. Size:66K onsemi
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NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features http //onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate -20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are

0.1. Size:1581K cn tech public
tpnta4151pt1g.pdf pdf_icon

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NTA4151P, NTE4151P Small Signal MOSFET -20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89 Features www.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package 0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and

6.2. Size:1482K kexin
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SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NTA4151P SOT-523 U nit m m +0. 1 1.6 -0. 1 +0.1 1.0 -0.1 +0.05 0.2 -0.05 0.15 0.05 Features 2 1 VDS (V) =-20V ID =-760m A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 260m (VGS =-4.5V) 3 D RDS(ON) 350m (VGS =-2.5V) 0.3 0.05 +0.1 RDS(ON) 490m (VGS =-1.8V) 0.5-0.1 1.Gate 2.Source 3.Drain G S Absolute Maximu

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History: ECH8411

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