NTA4151PT1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTA4151PT1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.301 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTA4151PT1

NTA4151PT1 Datasheet (PDF)

..1. Size:66K onsemi
nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdf

NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate-20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are

0.1. Size:1581K cn tech public
tpnta4151pt1g.pdf

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nta4151p nte4151p.pdf

NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and

6.2. Size:1482K kexin
nta4151p.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNTA4151P SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) =-20V ID =-760m A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 260m (VGS =-4.5V)3D RDS(ON) 350m (VGS =-2.5V) 0.30.05+0.1 RDS(ON) 490m (VGS =-1.8V) 0.5-0.11.Gate2.Source3.DrainGS Absolute Maximu

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