NTA4151PT1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTA4151PT1
Маркировка: TN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.301 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: SC-75
Аналог (замена) для NTA4151PT1
NTA4151PT1 Datasheet (PDF)
nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdf
NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate-20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are
nta4151p nte4151p.pdf
NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and
nta4151p.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNTA4151P SOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) =-20V ID =-760m A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 260m (VGS =-4.5V)3D RDS(ON) 350m (VGS =-2.5V) 0.30.05+0.1 RDS(ON) 490m (VGS =-1.8V) 0.5-0.11.Gate2.Source3.DrainGS Absolute Maximu
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
