NTB125N02R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB125N02R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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NTB125N02R datasheet
ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf
NTB125N02R, NTP125N02R Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver Loss RDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch
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History: TSM3N80CI
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Liste
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