NTB125N02R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB125N02R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB125N02R
NTB125N02R Datasheet (PDF)
..1. Size:84K onsemi
ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf
ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf
NTB125N02R, NTP125N02RPower MOSFET125 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
