NTB125N02R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB125N02R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB125N02R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB125N02R даташит

 ..1. Size:84K  onsemi
 ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf pdf_icon

NTB125N02R

NTB125N02R, NTP125N02R Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver Loss RDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch

Другие IGBT... N0400P, N0412N, N0413N, NT4N03, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, STP80NF70, NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4