Справочник MOSFET. NTB125N02R

 

NTB125N02R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB125N02R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB125N02R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB125N02R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  onsemi
 ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf pdf_icon

NTB125N02R

NTB125N02R, NTP125N02RPower MOSFET125 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch

Другие MOSFET... N0400P , N0412N , N0413N , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , 20N50 , NTB13N10 , NTB18N06 , NTB18N06G , NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 .

History: DMC3021LSDQ | IRF7821PBF | IRHMS597260 | STF5N95K5 | UPA2353 | NX3008CBKV | HGN080N10S

 

 
Back to Top

 


 
.