NTB125N02R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTB125N02R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.98 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB125N02R
NTB125N02R Datasheet (PDF)
ntb125n02r ntb125n02r ntp125n02r ntp125n02rg.pdf
NTB125N02R, NTP125N02RPower MOSFET125 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation 125 AMPERES, 24 VOLTS Low Ciss to Minimize Driver LossRDS(on) = 3.7 mW (Typ) Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot-through Protection Low Gate Ch
Другие MOSFET... N0400P , N0412N , N0413N , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , STP80NF70 , NTB13N10 , NTB18N06 , NTB18N06G , NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 .
History: PNMTO600V7 | BLF6G38-10 | 2SK2639-01
History: PNMTO600V7 | BLF6G38-10 | 2SK2639-01
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015


