NTB13N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB13N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 64.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB13N10
NTB13N10 Datasheet (PDF)
ntb13n10-d ntb13n10.pdf
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NTB13N10Power MOSFET100 V, 13 A, N-ChannelEnhancement-Mode D2PAKFeatures http://onsemi.com Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteFast Recovery DiodeV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified100 V 165 mW @ 10 V 13 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package Pb-Fre
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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