Справочник MOSFET. NTB13N10

 

NTB13N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB13N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB13N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB13N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  onsemi
 ntb13n10-d ntb13n10.pdf pdf_icon

NTB13N10

NTB13N10Power MOSFET100 V, 13 A, N-ChannelEnhancement-Mode D2PAKFeatures http://onsemi.com Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteFast Recovery DiodeV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified100 V 165 mW @ 10 V 13 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package Pb-Fre

Другие MOSFET... N0412N , N0413N , NT4N03 , NTA4001NT1 , NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , IRF1407 , NTB18N06 , NTB18N06G , NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G .

History: BRCS060N03ZB

 

 
Back to Top

 


 
.