NTB13N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB13N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB13N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB13N10 даташит

 ..1. Size:77K  onsemi
 ntb13n10-d ntb13n10.pdf pdf_icon

NTB13N10

NTB13N10 Power MOSFET 100 V, 13 A, N-Channel Enhancement-Mode D2PAK Features http //onsemi.com Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Avalanche Energy Specified 100 V 165 mW @ 10 V 13 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package Pb-Fre

Другие IGBT... N0412N, N0413N, NT4N03, NTA4001NT1, NTA4151PT1, NTA4153NT1, NTA7002NT1, NTB125N02R, IRFP450, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, NTB30N06G