NTB23N03R Todos los transistores

 

NTB23N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB23N03R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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NTB23N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntb23n03r ntb23n03rg.pdf pdf_icon

NTB23N03R

NTB23N03RPower MOSFET23 Amps, 25 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features23 AMPERES, 25 VOLTS Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 32 mW (Typ)Typical ApplicationsN-CHANNEL Planar HD3e Process for Fast Switching Performance

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History: 12N80L-T3P-T | 14N50L-TQ2-R | 19N10L-T3P-T | 14N50L-TA3-T | 14N50G-TF3-T

 

 
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