Справочник MOSFET. NTB23N03R

 

NTB23N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB23N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB23N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB23N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntb23n03r ntb23n03rg.pdf pdf_icon

NTB23N03R

NTB23N03RPower MOSFET23 Amps, 25 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features23 AMPERES, 25 VOLTS Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 32 mW (Typ)Typical ApplicationsN-CHANNEL Planar HD3e Process for Fast Switching Performance

Другие MOSFET... NTA4151PT1 , NTA4153NT1 , NTA7002NT1 , NTB125N02R , NTB13N10 , NTB18N06 , NTB18N06G , NTB18N06L , 10N65 , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , NTB35N15G , NTB4302 .

History: CHM09N6NGP | IRFI840GLCPBF | OSG60R022HT3ZF | CJAC10TH10 | 2SK2793 | TPM8205ATS6 | BF1208D

 

 
Back to Top

 


 
.