Справочник MOSFET. NTB23N03R

 

NTB23N03R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB23N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.76 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NTB23N03R

 

 

NTB23N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  onsemi
 ntb23n03r ntb23n03rg.pdf

NTB23N03R NTB23N03R

NTB23N03RPower MOSFET23 Amps, 25 VoltsN-Channel D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features23 AMPERES, 25 VOLTS Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 32 mW (Typ)Typical ApplicationsN-CHANNEL Planar HD3e Process for Fast Switching Performance

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top