NTB30N06G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB30N06G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB30N06G datasheet

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NTB30N06G

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

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NTB30N06G

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NTB30N06G

NTB30N20 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 200 V 68 mW @ VGS = 10 V 30 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-

Otros transistores... NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, 10N65, NTB30N06L, NTB30N20, NTB35N15G, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG, NTB52N10G, NTB5404NT4G