NTB30N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB30N06G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 88.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 23.4 nC
Tiempo de subida (tr): 36 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB30N06G
NTB30N06G Datasheet (PDF)
ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf
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ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf
NTP30N06L, NTB30N06LPower MOSFET30 Amps, 60 Volts, Logic Level,N-Channel TO-220 and D2PAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.30 AMPERES, 60 VOLTSFeaturesRDS(on) = 46 mW Pb-Free Packages are AvailableN-ChannelDTypical Applications Power Supplies
ntb30n20.pdf
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