NTB30N06G - описание и поиск аналогов

 

NTB30N06G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB30N06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB30N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB30N06G даташит

 ..1. Size:78K  onsemi
 ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf pdf_icon

NTB30N06G

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

 6.1. Size:75K  onsemi
 ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf pdf_icon

NTB30N06G

 8.1. Size:78K  onsemi
 ntb30n20.pdf pdf_icon

NTB30N06G

NTB30N20 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 200 V 68 mW @ VGS = 10 V 30 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-

Другие IGBT... NTB13N10, NTB18N06, NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, 10N65, NTB30N06L, NTB30N20, NTB35N15G, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG, NTB52N10G, NTB5404NT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.