NTB30N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB30N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.081 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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NTB30N20 datasheet
ntb30n20.pdf
NTB30N20 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 200 V 68 mW @ VGS = 10 V 30 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-
ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf
NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G
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